Firma Samsung opracowała prototypową wersję 512Mb układu pamięci DRAM
Rozwiązanie ma być wykorzystywane przy przetwarzaniu zaawansowanej grafiki 3D i wideo w przenośnych urządzeniach multimedialnych.
W oficjalnym komunikacie podano, że układ będzie produkowany w technologii 90 nm.
Chip jest zasilany napięciem 1,8V i będzie dostępny w formacie DDR i SDRAM. Samsung zapowiedział także stworzenie nowych, 512Mb pamięci dla rodziny układów MCP (Multi Chip Package) i SIP (System In Package). Producent zapowiedział, że nowych pamięci można się spodziewać na rynku najwcześniej w drugiej połowie 2005r.
Źródło informacji: DigiTimes
