Firma Hynix Semiconductor zaprezentowała nowe kości pamięci GDDR4 DRAM o pojemności 512Mb, które mogą pracować z prędkością 2,9 Gbit/s.
Producent zapowiedział start masowej produkcji nowych pamięci z początkiem przyszłego roku.
Nowa generacja pamięci graficznych GDDR4 jest dwa razy szybsza od produktów GDDR3, dzięki czemu idealnie nadają się one do 64-bitowych systemów komputerowych, które przetwarzają duże ilości danych.
Konkurencyjna firma Samsung Electronix zaprezentowała w październiku kości pamięci GDDR4 o pojemności 256Mbit. Masowa produkcja tych układów ma ruszyć w połowie przyszłego roku.
Źródło: Digitimes
