Koncern Toshiba zapowiedział rozpoczęcie masowej produkcji 16-Gb modułów pamięci flash typu NAND, wytwarzanych w technologii 56 nm.
Jest to już drugi po Samsungu producent, który będzie wytwarzał takie moduły.
Koncern Toshiba ma w planie rozpocząć produkcję wielopoziomowych modułów pamięci NAND. Producent ma na celu uzyskanie najwyższej możliwej gęstości zapisu danych w wielopoziomowych modułach pamięci MLC (multi-level cell) NAND. W pierwszym kwartale bieżącego roku firma Toshiba planuje wprowadzić na rynek pierwsze moduły pamięci NAND o pojemności 2 GB wytwarzanych w technologii 56 nm.
We współpracy z firmą SanDisk, koncern Toshiba rozpocznie masową produkcję chipów NAND o pojemności 2 GB w kwietniu, wprowadzając na rynek 300 tys. sztuk modułów miesięcznie.
Źródło: CDRinfo
